参考まで
部品番号 | SIHU5N80AE-GE3 |
LIXINC Part # | SIHU5N80AE-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHU5N80AE-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SIHU5N80AE-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4.4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.35Ohm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 16.5 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 321 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 62.5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-251AA |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
SKI10123 | MOSFET N-CH 100V 66A TO263 | 814 注文の詳細 |
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SIDR610DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK | 1982 注文の詳細 |
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IRF7326D2TRPBF | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO | 3229 注文の詳細 |
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SQD45P03-12_GE3 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 | 3042 注文の詳細 |
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FDB024N08BL7 | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 | 1338 注文の詳細 |
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NVTJD4105CT1G | MOSFET 20V 0.63A SC-88 | 4053 注文の詳細 |
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BUK9515-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 54A TO220AB | 807 注文の詳細 |
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IXFX90N60X | MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3 | 999 注文の詳細 |
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IXFA18N60X | MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA | 1695 注文の詳細 |
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TSM900N06CH X0G | MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251 | 4712 注文の詳細 |
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NTMS5P02R2SG | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC | 7974 注文の詳細 |
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DMN2230UQ-7 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | 16882 注文の詳細 |
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IPW65R145CFD7AXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3 | 935 注文の詳細 |
在庫あり | 13852 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.24000 | $1.24 |
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