TK160F10N1,LXGQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK160F10N1,LXGQ

TK160F10N1,LXGQ

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部品番号	TK160F10N1,LXGQ
LIXINC Part #	TK160F10N1,LXGQ
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	TK160F10N1,LXGQ PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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TK160F10N1,LXGQ 仕様

部品番号:	TK160F10N1,LXGQ
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	U-MOSVIII-H
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Not For New Designs
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	160A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	10V
(最大) @ id、vgs の rds:	2.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	121 nC @ 10 V
vgs (最大):	±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	8510 pF @ 10 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	375W (Tc)
動作温度:	175°C
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	TO-220SM(W)
パッケージ・ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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