参考まで
部品番号 | FCPF650N80Z |
LIXINC Part # | FCPF650N80Z |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FCPF650N80Z PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FCPF650N80Z |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | SuperFET® II |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 650mOhm @ 4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4.5V @ 800µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 35 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.565 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 30.5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220F |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
PMXB56ENZ | 30 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | 865 注文の詳細 |
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PSMN085-150K,518-NEX | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 868 注文の詳細 |
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TK65S04K3L(T6L1,NQ | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | 831 注文の詳細 |
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AO6400 | MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP | 941 注文の詳細 |
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TQM025NB04CR RLG | MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU | 5880 注文の詳細 |
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3N164 TO-72 4L | P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO | 900 注文の詳細 |
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NTD5N50 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 7892 注文の詳細 |
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IRFP340 | MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3 | 2531 注文の詳細 |
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AON7409 | MOSFET P-CH 30V 16A/32A 8DFN | 948 注文の詳細 |
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PMV280ENEA215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 15887 注文の詳細 |
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STQ1HN60K3-AP | MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 | 923 注文の詳細 |
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FDS2170N3 | MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC | 3592 注文の詳細 |
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NTMFS4936NCT1G | 11.6A, 30V, 0.0048OHM, N-CHANNE | 15899 注文の詳細 |
在庫あり | 11518 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.91000 | $0.91 |
1000 | $0.91000 | $910 |
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