参考まで
部品番号 | IRF7807VPBF |
LIXINC Part # | IRF7807VPBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | HEXFET POWER MOSFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF7807VPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF7807VPBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8.3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 14 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | 934 注文の詳細 |
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IRF9520SPBF | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK | 953 注文の詳細 |
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RM5N700IP | MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 | 840 注文の詳細 |
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FDS4480 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC | 2510 注文の詳細 |
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PMCM6501UNEZ | MOSFET N-CH 20V 8.7A 6WLCSP | 7606 注文の詳細 |
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APT20M38BVRG | MOSFET N-CH 200V 67A TO247 | 959 注文の詳細 |
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RM110N150HD | MOSFET N-CH 150V 113A TO263-2 | 869 注文の詳細 |
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DMP32D4SFB-7B | MOSFET P-CH 30V 400MA 3DFN | 4740 注文の詳細 |
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IRF8788PBF | MOSFET N-CH 30V 24A 8SO | 835 注文の詳細 |
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SI2328DS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 | 12339 注文の詳細 |
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HUF76443P3 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 | 8142 注文の詳細 |
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FDP75N08 | MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3 | 1170 注文の詳細 |
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SI3447CDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP | 935 注文の詳細 |
在庫あり | 10989 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.31000 | $0.31 |
3800 | $0.31000 | $1178 |
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