参考まで
部品番号 | IRF40H210 |
LIXINC Part # | IRF40H210 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF40H210 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF40H210 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 6V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.7V @ 150µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 152 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5.406 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 125W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-PQFN (5x6) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
BUK7M5R0-40HX | MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 | 2453 注文の詳細 |
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SUP90220E-GE3 | MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB | 978 注文の詳細 |
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IRLZ14PBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB | 1765 注文の詳細 |
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IPW60R099CP | MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1 | 986 注文の詳細 |
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SUM110P04-05-E3 | MOSFET P-CH 40V 110A TO263 | 21475 注文の詳細 |
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NVMFS6D1N08HT1G | T8 80V | 2474 注文の詳細 |
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FCPF7N60YDTU | MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3 | 4784 注文の詳細 |
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IPD50N04S408ATMA1 | IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT | 3342 注文の詳細 |
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STH310N10F7-6 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 | 999 注文の詳細 |
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DMP3026SFDE-7 | MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN | 8103903 注文の詳細 |
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IPD12CN10NG | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 8408 注文の詳細 |
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HUF76629D3S | MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA | 47382 注文の詳細 |
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DMP4010SK3-13 | MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252 | 938 注文の詳細 |
在庫あり | 18861 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.56000 | $0.56 |
4000 | $0.56000 | $2240 |
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