IRF40H210

IRF40H210
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部品番号 IRF40H210
LIXINC Part # IRF40H210
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IRF40H210 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IRF40H210 仕様

部品番号:IRF40H210
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:HEXFET®, StrongIRFET™
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:100A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):6V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3.7V @ 150µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:152 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:5.406 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):125W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-PQFN (5x6)
パッケージ・ケース:8-PowerVDFN

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