参考まで
部品番号 | PSMN3R2-40YLDX |
LIXINC Part # | PSMN3R2-40YLDX |
メーカー | Nexperia |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PSMN3R2-40YLDX PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | PSMN3R2-40YLDX |
ブランド: | Nexperia |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Nexperia |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.05V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 57 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4103 pF @ 20 V |
フェチ機能: | Schottky Diode (Body) |
消費電力 (最大): | 115W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | LFPAK56, Power-SO8 |
パッケージ・ケース: | SC-100, SOT-669 |
IRL40S212 | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 858 注文の詳細 |
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APT40N60JCU2 | MOSFET N-CH 600V 40A SOT227 | 948 注文の詳細 |
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FDD8796 | MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA | 924 注文の詳細 |
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RM80N150T2 | MOSFET N-CH 150V 80A TO220-3 | 886 注文の詳細 |
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SI3139K-TP | MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 | 2272 注文の詳細 |
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MSC025SMA120S | SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK | 1216 注文の詳細 |
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DMNH6008SPSQ-13 | MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060 | 972 注文の詳細 |
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IPB049N06L3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 840 注文の詳細 |
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SIHF520STRL-GE3 | MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK | 818 注文の詳細 |
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RM3401 | MOSFET P-CHANNEL 30V 4.2A SOT23 | 905 注文の詳細 |
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IXKH35N60C5 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD | 962 注文の詳細 |
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FQD2N80TM | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK | 957 注文の詳細 |
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IRF9Z24NSTRLPBF | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | 1147 注文の詳細 |
在庫あり | 11719 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.86000 | $0.86 |
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