参考まで
| 部品番号 | IRFBC30ALPBF |
| LIXINC Part # | IRFBC30ALPBF |
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRFBC30ALPBF PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRFBC30ALPBF |
| ブランド: | Vishay / Siliconix |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.6A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 2.2Ohm @ 2.2A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4.5V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 23 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±30V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 510 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 74W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK |
| パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
 |
IRF8736PBF | MOSFET N-CH 30V 18A 8SO | 920 注文の詳細 |
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RF1K4909396 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 3948 注文の詳細 |
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IXTT110N10L2 | MOSFET N-CH 100V 110A TO268 | 802 注文の詳細 |
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TSM120NA03CR RLG | MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN | 868 注文の詳細 |
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IRFBF30PBF-BE3 | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB | 1891 注文の詳細 |
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SI3457CDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP | 22164 注文の詳細 |
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RSM002P03T2L | MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3 | 16002 注文の詳細 |
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BUK768R1-40E,118 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 2649 注文の詳細 |
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IPD35N10S3L26ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 | 857 注文の詳細 |
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AOD9N50 | MOSFET N-CH 500V 9A TO252 | 1100 注文の詳細 |
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SIHG25N60EFL-GE3 | MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC | 1295 注文の詳細 |
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TK8A60W,S4VX | MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS | 976 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10819 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 1000 | $0.90915 | $909.15 |
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