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部品番号 | SI7104DN-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI7104DN-T1-E3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI7104DN-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI7104DN-T1-E3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 12 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.8V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 70 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±12V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2800 pF @ 6 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® 1212-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® 1212-8 |
SUD50P04-08-BE3 | MOSFET P-CH 40V 50A DPAK | 1961 注文の詳細 |
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IPP60R950C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3 | 82121 注文の詳細 |
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AOT9N50 | MOSFET N-CH 500V 9A TO220 | 888 注文の詳細 |
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AON7466 | MOSFET N-CH 30V 15A/30A 8DFN | 871 注文の詳細 |
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IRFF423 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 975 注文の詳細 |
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AUIRFS4410Z | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 3406 注文の詳細 |
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DMT6016LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060 | 999 注文の詳細 |
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STD30NF06LT4 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | 972 注文の詳細 |
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SSM6K361NU,LF | MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB | 21851 注文の詳細 |
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MCH6336-P-TL-E | MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 | 989 注文の詳細 |
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SI7423DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 | 962 注文の詳細 |
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FDPF7N60NZT | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F | 860 注文の詳細 |
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DMT6030LFDF-7 | MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN | 60843 注文の詳細 |
在庫あり | 10933 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.05000 | $1.05 |
3000 | $1.05000 | $3150 |
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