参考まで
部品番号 | RM5N650IP |
LIXINC Part # | RM5N650IP |
メーカー | Rectron USA |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO251 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RM5N650IP PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RM5N650IP |
ブランド: | Rectron USA |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rectron USA |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 460 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 49W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-251 |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
STN1NK60Z | MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 | 18105 注文の詳細 |
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RM21N700T2 | MOSFET N-CH 700V 21A TO220-3 | 933 注文の詳細 |
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DMP6050SFG-13 | MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8 | 932 注文の詳細 |
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IAUC100N04S6N015ATMA1 | IAUC100N04S6N015ATMA1 | 5924 注文の詳細 |
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DMN2004TK-7 | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523 | 2147484543 注文の詳細 |
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STW45N60DM2AG | MOSFET N-CH 600V 34A TO247 | 942 注文の詳細 |
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APT28M120B2 | MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX | 1031 注文の詳細 |
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IRFS640A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3383 注文の詳細 |
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IPD95R750P7ATMA1 | MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3 | 1495 注文の詳細 |
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HUF75631S3S | N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4 | 2119 注文の詳細 |
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STB76NF75 | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 2105 注文の詳細 |
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IPW60R280C6FKSA1 | PFET, 13.8A I(D), 600V, 0.28OHM, | 18712 注文の詳細 |
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AOTF7S60L | MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F | 914 注文の詳細 |
在庫あり | 10963 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.45000 | $0.45 |
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