参考まで
| 部品番号 | IPP50R199CP |
| LIXINC Part # | IPP50R199CP |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | IPP50R199 - 500V COOLMOS N-CHANN |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPP50R199CP PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPP50R199CP |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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STD13N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | 7771 注文の詳細 |
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SPB80N03S203GATMA1 | MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3-2 | 33912 注文の詳細 |
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RRR030P03TL | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 | 27033 注文の詳細 |
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SPW12N50C3XK | N-CHANNEL POWER MOSFET | 982 注文の詳細 |
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IPD80R1K0CEBTMA1 | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 | 23148 注文の詳細 |
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FDC645N | MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6 | 7911 注文の詳細 |
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IRFS4321TRLPBF | MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK | 3579 注文の詳細 |
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IRFR024TRPBF | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | 897 注文の詳細 |
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IRFL4310TRPBF | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 | 30157 注文の詳細 |
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BUK953R2-40E,127 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | 902 注文の詳細 |
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DMN26D0UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN | 63062 注文の詳細 |
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TK17E65W,S1X | MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220 | 952 注文の詳細 |
 |
IPD50P03P4L11ATMA2 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31 | 930 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10929 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.42000 | $1.42 |
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