RD3G07BATTL1

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部品番号 RD3G07BATTL1
LIXINC Part # RD3G07BATTL1
メーカー ROHM Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル RD3G07BATTL1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RD3G07BATTL1 仕様

部品番号:RD3G07BATTL1
ブランド:ROHM Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:ROHM Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:70A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:7.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:105 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:5550 pF @ 20 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):101W (Ta)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-252
パッケージ・ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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