参考まで
部品番号 | FQA10N80 |
LIXINC Part # | FQA10N80 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQA10N80 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQA10N80 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9.8A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.05Ohm @ 4.9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 71 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.7 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 240W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-3P |
パッケージ・ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
DMP2021UFDE-13 | MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN | 861 注文の詳細 |
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TSM70NB1R4CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252 | 3239 注文の詳細 |
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STL7N6F7 | MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT | 4273 注文の詳細 |
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FQPF7N60 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 | 15111 注文の詳細 |
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BUZ32H3045A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2152 注文の詳細 |
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IRF3805STRLPBF | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 1696 注文の詳細 |
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FQAF27N25 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2282 注文の詳細 |
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ZXMP10A17KTC | MOSFET P-CH 100V 2.4A TO252-2 | 7013471 注文の詳細 |
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DMN10H170SFDE-13 | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | 936 注文の詳細 |
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IPB70N10S312ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | 1591 注文の詳細 |
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BUK98180-100A/CUX | MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223 | 935 注文の詳細 |
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BSS308PEH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 | 809 注文の詳細 |
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TK16A60W5,S4VX | MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS | 912 注文の詳細 |
在庫あり | 59077 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.71000 | $1.71 |
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