参考まで
| 部品番号 | PSMN130-200D,118-NEX |
| LIXINC Part # | PSMN130-200D,118-NEX |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PSMN130-200D,118-NEX PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PSMN130-200D,118-NEX |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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PMZB670UPE,315 | MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 | 30568 注文の詳細 |
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STW21NM60ND | MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3 | 1076 注文の詳細 |
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SQ1470AEH-T1_GE3 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70 | 6251 注文の詳細 |
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UPA2521T1H-T2-AT | MOSFET N-CH 30V 8A 8VSOF | 84896 注文の詳細 |
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SSM6J502NU,LF | MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB | 3030 注文の詳細 |
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APT8015JVR | MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP | 844 注文の詳細 |
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NTMFS5C406NLT1G | MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN | 950 注文の詳細 |
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STP80N10F7 | MOSFET N-CH 100V 80A TO220 | 1378 注文の詳細 |
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IXFN38N80Q2 | MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B | 914 注文の詳細 |
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AO4402G | MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC | 920 注文の詳細 |
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STB20NM60T4 | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | 808 注文の詳細 |
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DMNH6011LK3Q-13 | MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R | 902 注文の詳細 |
 |
STB6N60M2 | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK | 988 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10880 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.40000 | $0.4 |
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