参考まで
| 部品番号 | FDMC6675BZ |
| LIXINC Part # | FDMC6675BZ |
| メーカー | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FDMC6675BZ PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FDMC6675BZ |
| ブランド: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| シリーズ: | PowerTrench® |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9.5A (Ta), 20A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 14.4mOhm @ 9.5A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 65 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±25V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2865 pF @ 15 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 2.3W (Ta), 36W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-MLP (3.3x3.3) |
| パッケージ・ケース: | 8-PowerWDFN |
 |
IRF644STRRPBF | MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK | 1082 注文の詳細 |
 |
MAX8737ETE+ | DUAL LINEAR REGULATOR CONTROLLER | 11896 注文の詳細 |
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IRF7413TRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | 4255 注文の詳細 |
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RD3H080SPTL1 | MOSFET P-CH 45V 8A TO252 | 4471 注文の詳細 |
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TPH1110FNH,L1Q | MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP | 4951 注文の詳細 |
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 |
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 |
FDMC8588DC | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1470 注文の詳細 |
 |
IPU60R600C6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 896 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11153 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.96000 | $0.96 |
| 3000 | $0.44660 | $1339.8 |
| 6000 | $0.42427 | $2545.62 |
| 15000 | $0.40832 | $6124.8 |
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