SSM3J15CT(TPL3) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J15CT(TPL3)

SSM3J15CT(TPL3)

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部品番号	SSM3J15CT(TPL3)
LIXINC Part #	SSM3J15CT(TPL3)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	SSM3J15CT(TPL3) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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SSM3J15CT(TPL3) 仕様

部品番号:	SSM3J15CT(TPL3)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	π-MOSVI
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	P-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	100mA (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	2.5V, 4V
(最大) @ id、vgs の rds:	12Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (最大) @ ID:	-
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	-
vgs (最大):	±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	9.1 pF @ 3 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	100mW (Ta)
動作温度:	150°C (TJ)
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	CST3
パッケージ・ケース:	SC-101, SOT-883

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