参考まで
部品番号 | EPC2023 |
LIXINC Part # | EPC2023 |
メーカー | EPC |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | GANFET N-CH 30V 60A DIE |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | EPC2023 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | EPC2023 |
ブランド: | EPC |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | EPC |
シリーズ: | eGaN® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 60A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.3mOhm @ 40A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 20mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2300 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Die |
パッケージ・ケース: | Die |
HUF76423P3 | MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3 | 1704 注文の詳細 |
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DMJ70H600SH3 | MOSFET N-CH 700V 11A TO251 | 809 注文の詳細 |
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STD36P4LLF6 | MOSFET P-CH 40V 36A DPAK | 4410 注文の詳細 |
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RM6005AR | MOSFET N-CHANNEL 60V 5A SOT223-3 | 805 注文の詳細 |
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RQ6E035SPTR | MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 | 3896 注文の詳細 |
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STD1HN60K3 | MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK | 3341 注文の詳細 |
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2SK1420 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8401 注文の詳細 |
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NTMS5P02R2 | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC | 3440 注文の詳細 |
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2N7002LT3G | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 | 925 注文の詳細 |
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RF1S9640SM9A | P-CHANNEL POWER MOSFET | 2559 注文の詳細 |
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NTE2382 | MOSFET N-CHANNEL 100V 9.2A TO220 | 1398 注文の詳細 |
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SIHD14N60E-BE3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA | 3857 注文の詳細 |
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NVTFS5124PLWFTAG | MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN | 837 注文の詳細 |
在庫あり | 17341 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $7.59000 | $7.59 |
500 | $4.66080 | $2330.4 |
1000 | $4.20975 | $4209.75 |
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