参考まで
| 部品番号 | IPB108N15N3GATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB108N15N3GATMA1 |
| メーカー | IR (Infineon Technologies) |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPB108N15N3GATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPB108N15N3GATMA1 |
| ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 150 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 83A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 8V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 10.8mOhm @ 83A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 160µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 55 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3230 pF @ 75 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 214W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
| パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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STD16N65M5 | MOSFET N-CH 650V 12A DPAK | 940 注文の詳細 |
 |
FDMA530PZ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | 2711 注文の詳細 |
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IPT007N06NATMA1 | MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF | 898 注文の詳細 |
 |
PSMN030-150B,118 | MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK | 10495 注文の詳細 |
 |
FCPF260N60E | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | 908 注文の詳細 |
 |
RFD16N06LESM9A | MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA | 6460 注文の詳細 |
 |
RFD7N10LE | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6827 注文の詳細 |
 |
PMZ600UNELYL | MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 | 888 注文の詳細 |
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TK6A53D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS | 905 注文の詳細 |
 |
RRF015P03TL | MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 | 905 注文の詳細 |
 |
BUK652R0-30C,127 | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB | 4168 注文の詳細 |
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NTMFS5C604NLT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | 4321 注文の詳細 |
 |
FQPF33N10 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 884 注文の詳細 |
| 在庫あり | 15264 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.50000 | $4.5 |
| 1000 | $2.47659 | $2476.59 |
| 2000 | $2.35276 | $4705.52 |
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