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| 部品番号 | RM180N100T2 |
| LIXINC Part # | RM180N100T2 |
| メーカー | Rectron USA |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RM180N100T2 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RM180N100T2 |
| ブランド: | Rectron USA |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rectron USA |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 180A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 3mOhm @ 100A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4.5V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1150 pF @ 50 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 300W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
| パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
 |
FQP2N90 | MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3 | 1040 注文の詳細 |
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IRLU3636PBF | MOSFET N-CH 60V 50A IPAK | 3516 注文の詳細 |
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SIS478DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 | 969 注文の詳細 |
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IRL3803PBF | MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB | 947 注文の詳細 |
 |
BUK7E13-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK | 2280 注文の詳細 |
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BUK661R6-30C,118 | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | 995 注文の詳細 |
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IXTN120P20T | MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B | 1232 注文の詳細 |
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HUF76129S3ST | N-CHANNEL POWER MOSFET | 863 注文の詳細 |
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IXTY2N65X2 | MOSFET N-CH 650V 2A TO252 | 933 注文の詳細 |
 |
AOD2910 | MOSFET N CH 100V 6.5A TO252 | 925 注文の詳細 |
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TSM2309CX RFG | MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23 | 916 注文の詳細 |
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2N7002/S711215 | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 948 注文の詳細 |
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TJ20S04M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 40V 20A DPAK | 886 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10929 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.51000 | $1.51 |
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