参考まで
部品番号 | FQPF12N60C |
LIXINC Part # | FQPF12N60C |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQPF12N60C PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQPF12N60C |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 650mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 63 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2290 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 51W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
RM90N40DF | MOSFET N-CHANNEL 40V 90A 8DFN | 870 注文の詳細 |
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BUK7Y8R7-60EX | MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56 | 997 注文の詳細 |
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DMN3010LFG-13 | MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333 | 848 注文の詳細 |
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ZXMN6A08KTC | MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3 | 7683317 注文の詳細 |
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IRL3705NSTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK | 1077 注文の詳細 |
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STB85NF55LT4 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 965 注文の詳細 |
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IPP65R225C7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 | 959 注文の詳細 |
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TSM2N100CP ROG | MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252 | 2122 注文の詳細 |
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IPA65R095C7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP | 1422 注文の詳細 |
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AOTF160A60L | MOSFET N-CH 600V 24A TO220F | 1949 注文の詳細 |
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FCH085N80-F155 | MOSFET N-CH 800V 46A TO247 | 1132 注文の詳細 |
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BSC032NE2LSATMA1 | MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON | 3860 注文の詳細 |
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SI1499DH-T1-BE3 | MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6 | 3813 注文の詳細 |
在庫あり | 16636 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.10000 | $1.1 |
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