参考まで
部品番号 | EFC4612R-S-TR |
LIXINC Part # | EFC4612R-S-TR |
メーカー | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 24V 6A EFCP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | EFC4612R-S-TR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | EFC4612R-S-TR |
ブランド: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | EFCP1313-4CC-037 |
パッケージ・ケース: | 4-XFBGA |
IXTY1R4N120PHV | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | 914 注文の詳細 |
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NTF3055-160T1 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 | 52547 注文の詳細 |
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IXFN90N170SK | SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B | 911 注文の詳細 |
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IAUS165N08S5N029ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 | 1873 注文の詳細 |
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SQM120N10-09_GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 905 注文の詳細 |
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IPI80N06S2L11AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 41303 注文の詳細 |
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IPD096N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 | 959 注文の詳細 |
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STP5N105K5 | MOSFET N-CH 1050V 3A TO220 | 1843 注文の詳細 |
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IXTA2N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 | 945 注文の詳細 |
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SIHB22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 7760 注文の詳細 |
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FQB7P20TM-F085 | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | 1187 注文の詳細 |
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R6004ENDTL | MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 | 3388 注文の詳細 |
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IXFH230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD | 1821 注文の詳細 |
在庫あり | 10830 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.12106 | $0.12106 |
5000 | $0.12106 | $605.3 |
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