参考まで
| 部品番号 | IPW60R199CP |
| LIXINC Part # | IPW60R199CP |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IPW60R199CP PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IPW60R199CP |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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SIRA01DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8 | 1878 注文の詳細 |
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IPD90N04S40-4ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 875 注文の詳細 |
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RM170N30DF | MOSFET N-CHANNEL 30V 170A 8DFN | 913 注文の詳細 |
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BSC882N03MSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 24846 注文の詳細 |
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STW40N95DK5 | MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 | 872 注文の詳細 |
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STW10NK60Z | MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3 | 826 注文の詳細 |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 | 890 注文の詳細 |
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SIHB24N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | 882 注文の詳細 |
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NVD5C460NT4G | MOSFET N-CH 40V 18A/70A DPAK | 3451 注文の詳細 |
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NDB4060 | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | 3659 注文の詳細 |
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BSC0902NSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON | 4751 注文の詳細 |
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IXTN62N50L | MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B | 995 注文の詳細 |
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SUD40N10-25-E3 | MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | 1145 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10969 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.01000 | $2.01 |
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