参考まで
部品番号 | FQD16N15TM |
LIXINC Part # | FQD16N15TM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQD16N15TM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQD16N15TM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 150 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11.8A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 160mOhm @ 5.9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 30 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 910 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRF6795MTRPBF | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | 3779 注文の詳細 |
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SQP100P06-9M3L_GE3 | MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB | 1246 注文の詳細 |
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TPN1600ANH,L1Q | MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV | 950 注文の詳細 |
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IPA65R310CFDXKSA2 | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 | 811 注文の詳細 |
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SIHG24N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | 1398 注文の詳細 |
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IRF510STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | 1290 注文の詳細 |
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NTMFS4898NFT1G | MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN | 24636 注文の詳細 |
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FQPF13N50CF | MOSFET N-CH 500V 13A TO220F | 1305 注文の詳細 |
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IXTA86N20T | MOSFET N-CH 200V 86A TO263 | 835 注文の詳細 |
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APT100MC120JCU2 | SICFET N-CH 1200V 143A SOT227 | 866 注文の詳細 |
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FQP8N60C | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3 | 81020852 注文の詳細 |
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DMN2112SN-7 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 | 7111 注文の詳細 |
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BUZ11-NR4941 | MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3 | 4453 注文の詳細 |
在庫あり | 12765 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
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