TK5P50D(T6RSS-Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK5P50D(T6RSS-Q)

TK5P50D(T6RSS-Q)

拡大する

参考まで

部品番号	TK5P50D(T6RSS-Q)
LIXINC Part #	TK5P50D(T6RSS-Q)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	TK5P50D(T6RSS-Q) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
支払い
運送

TK5P50D(T6RSS-Q) 仕様

部品番号:	TK5P50D(T6RSS-Q)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	5A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	10V
(最大) @ id、vgs の rds:	1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	4.4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (最大):	±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	490 pF @ 25 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	80W (Tc)
動作温度:	150°C (TJ)
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	D-Pak
パッケージ・ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSZ017NE2LS5IATMA1	MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON	4009 注文の詳細
IXTK200N10L2	MOSFET N-CH 100V 200A TO264	1389 注文の詳細
IRF7821TRPBF	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO	79039 注文の詳細
DMN4010LFG-7	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333	3306933 注文の詳細
IXTA150N15X4-7	MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7	352063 注文の詳細
BSP315PL6327HTSA1	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4	917 注文の詳細
IPA50R140CP	IPA50R140 - 500V COOLMOS N-CHANN	814 注文の詳細
IPP65R310CFDXKSA2	MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3	820 注文の詳細
SI6426DQ	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	24224 注文の詳細
FDP060AN08A0	MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3	2705 注文の詳細
STP10NK80ZFP	MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP	1240 注文の詳細
IRFB7545PBF	MOSFET N-CH 60V 95A TO220	962 注文の詳細
TP2520N8-G	MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA	870 注文の詳細