参考まで
部品番号 | NP82N055NUG-S18-AY |
LIXINC Part # | NP82N055NUG-S18-AY |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 55V 82A TO262 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NP82N055NUG-S18-AY PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NP82N055NUG-S18-AY |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 55 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 82A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6mOhm @ 41A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 160 nC @ 10 V |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 9.6 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
動作温度: | 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-262 |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
IXTP460P2 | MOSFET N-CH 500V 24A TO220AB | 1938 注文の詳細 |
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RM130N200T7 | MOSFET N-CHANNEL 200V 132A TO247 | 977 注文の詳細 |
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RM18P100HDE | MOSFET P-CH 100V 18A TO263-2 | 800 注文の詳細 |
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IXFB38N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 | 802 注文の詳細 |
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STF13N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP | 1571 注文の詳細 |
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BUK626R2-40C,118 | MOSFET N-CH 40V 90A DPAK | 816 注文の詳細 |
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | 999 注文の詳細 |
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IXTA96P085T-TRL | MOSFET P-CH 85V 96A TO263 | 804 注文の詳細 |
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STH240N10F7-2 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 | 1845 注文の詳細 |
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IPWS65R050CFD7AXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41 | 1132 注文の詳細 |
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IPD50N04S4-08 | IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT | 2075 注文の詳細 |
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ATP201-TL-H | MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK | 15809 注文の詳細 |
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AOT11S60L | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 1932 注文の詳細 |
在庫あり | 11996 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.97000 | $1.97 |
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