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部品番号 | NVJS4405NT1G |
LIXINC Part # | NVJS4405NT1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 25V 1A SC88 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NVJS4405NT1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NVJS4405NT1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.7V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 350mOhm @ 600mA, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 1.5 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 60 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 630mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
パッケージ・ケース: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
TPN2R703NL,L1Q | MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON | 3542 注文の詳細 |
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STD7NM80-1 | MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK | 924 注文の詳細 |
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SI7858ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 | 8629 注文の詳細 |
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FDMS86202ET120 | MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 | 18473800 注文の詳細 |
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NP100P06PDG-E1-AY | MOSFET P-CH 60V 100A TO263 | 998 注文の詳細 |
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APT5010JVRU3 | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | 998 注文の詳細 |
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DMP6110SSS-13 | MOSFET P-CH 60V 8SOIC | 1928 注文の詳細 |
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IXFN20N120P | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | 1384 注文の詳細 |
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FDD6680AS | MOSFET N-CH 30V 55A TO252 | 11327 注文の詳細 |
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BSH201,215 | MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB | 28935 注文の詳細 |
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STD11NM50N | MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK | 1041 注文の詳細 |
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TPN14006NH,L1Q | MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV | 915 注文の詳細 |
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IPB100N06S205ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2 | 13738 注文の詳細 |
在庫あり | 10802 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.08000 | $0.08 |
3000 | $0.08000 | $240 |
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