参考まで
部品番号 | RM11N800T2 |
LIXINC Part # | RM11N800T2 |
メーカー | Rectron USA |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RM11N800T2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RM11N800T2 |
ブランド: | Rectron USA |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rectron USA |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 420mOhm @ 5.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2600 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 188W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
IRFI620GPBF | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3 | 1425 注文の詳細 |
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DMP2109UVT-7 | MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26 | 887 注文の詳細 |
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SI4890DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 843 注文の詳細 |
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NTLUS3A18PZTBG | MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | 2241 注文の詳細 |
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IRF840STRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK | 856 注文の詳細 |
|
IPB60R099CPAATMA1 | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | 1405 注文の詳細 |
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BUK7215-55A,118 | MOSFET N-CH 55V 55A DPAK | 1052 注文の詳細 |
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5LN01SS-TL-E | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 8931 注文の詳細 |
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R6020ENX | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM | 1247 注文の詳細 |
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2SK1658-T1-A | MOSFET N-CH 30V 100MA SC70-3 SSP | 3927 注文の詳細 |
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NTP6412ANG | MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB | 1049 注文の詳細 |
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CSD16342Q5A | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | 3669 注文の詳細 |
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5HN01M-TL-E-SA | MOSFET N-CH 50V 100MA MCP | 246917 注文の詳細 |
在庫あり | 10803 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.44000 | $1.44 |
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