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| 部品番号 | ATP101-V-TL-H |
| LIXINC Part # | ATP101-V-TL-H |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET P-CH 4.5V ATPAK |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | ATP101-V-TL-H PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | ATP101-V-TL-H |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | ATPAK |
| パッケージ・ケース: | ATPAK (2 leads+tab) |
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IXFH36N60P | MOSFET N-CH 600V 36A TO247AD | 908 注文の詳細 |
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IPW65R190E6FKSA1 | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 | 6090 注文の詳細 |
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NVMFS5H663NLT1G | MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN | 845 注文の詳細 |
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IXFH14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD | 1159 注文の詳細 |
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IRFP150A | MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN | 941 注文の詳細 |
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FQB25N33TM | MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK | 18604 注文の詳細 |
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TPN13008NH,L1Q | MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON | 2904 注文の詳細 |
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SIR606BDP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK | 2861 注文の詳細 |
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ZVN2110GTA | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223 | 5347 注文の詳細 |
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IPB60R250CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 42744 注文の詳細 |
 |
FDB060AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK | 1580 注文の詳細 |
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IPB65R110CFDAATMA1 | MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK | 1568 注文の詳細 |
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IRLM120ATF | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4 | 8954 注文の詳細 |
| 在庫あり | 162926 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.18000 | $0.18 |
| 3000 | $0.18000 | $540 |
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