参考まで
| 部品番号 | FDD6692 |
| LIXINC Part # | FDD6692 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FDD6692 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FDD6692 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
FDS6694 | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC | 29925 注文の詳細 |
 |
FQU6N40CTU | MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK | 15077 注文の詳細 |
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SIR800ADP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK | 6076 注文の詳細 |
 |
IPA50R199CPXKSA1 | MOSFET N-CH 500V 17A TO220-FP | 859 注文の詳細 |
 |
IRL3803VPBF | IRL3803 - 12V-300V N-CHANNEL POW | 997 注文の詳細 |
 |
DMG4800LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 | 48538429 注文の詳細 |
 |
RSQ015N06HZGTR | MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 | 991 注文の詳細 |
 |
SI1480DH-T1-BE3 | MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70 | 3734 注文の詳細 |
 |
AOB280A60L | MOSFET N-CH 600V 14A TO263 | 1627 注文の詳細 |
 |
IPP60R600E6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 809 注文の詳細 |
 |
IPI80N04S403AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | 1198 注文の詳細 |
 |
FQP9N90C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 | 3441 注文の詳細 |
 |
SUM70040M-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 | 1336 注文の詳細 |
| 在庫あり | 67970 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.55000 | $0.55 |
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