参考まで
部品番号 | IRF6621TRPBF |
LIXINC Part # | IRF6621TRPBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | 30V SINGLE N-CHANNEL HEXFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF6621TRPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF6621TRPBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Ta), 55A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 9.1mOhm @ 12A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.25V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 17.5 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.46 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DIRECTFET™ SQ |
パッケージ・ケース: | DirectFET™ Isometric SQ |
APT13F120S | MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK | 833 注文の詳細 |
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STD80N10F7 | MOSFET N-CH 100V 70A DPAK | 2239 注文の詳細 |
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AOD7S65 | MOSFET N-CH 650V 7A TO252 | 4198 注文の詳細 |
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DMN6040SVTQ-7 | MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26 | 1244 注文の詳細 |
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DMT6012LFV-7 | MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333 | 62861 注文の詳細 |
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PSMN3R0-60BS,118 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | 1650 注文の詳細 |
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IPB100N06S205ATMA4 | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | 2017 注文の詳細 |
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IXTA30N25L2 | MOSFET N-CH 250V 30A TO263 | 1959 注文の詳細 |
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PMV88ENEAR | MOSFET N-CH 60V 2.2A TO236AB | 4716 注文の詳細 |
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DMN3009SFG-13 | MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 | 997 注文の詳細 |
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PSMN0R9-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 926 注文の詳細 |
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SUD23N06-31L-T4-E3 | MOSFET N-CH 60V TO252 | 8158 注文の詳細 |
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IRL540PBF-BE3 | MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB | 1848 注文の詳細 |
在庫あり | 14357 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.44000 | $0.44 |
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