NTMSD2P102LR2G

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部品番号 NTMSD2P102LR2G
LIXINC Part # NTMSD2P102LR2G
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル NTMSD2P102LR2G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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NTMSD2P102LR2G 仕様

部品番号:NTMSD2P102LR2G
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:FETKY™
パッケージ:Bulk
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:2.3A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):2.5V, 4.5V
(最大) @ id、vgs の rds:90mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:18 nC @ 4.5 V
vgs (最大):±10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:750 pF @ 16 V
フェチ機能:Schottky Diode (Isolated)
消費電力 (最大):710mW (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-SOIC
パッケージ・ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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