IPT60R080G7XTMA1

IPT60R080G7XTMA1
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部品番号 IPT60R080G7XTMA1
LIXINC Part # IPT60R080G7XTMA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IPT60R080G7XTMA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jul 09 - Jul 13 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IPT60R080G7XTMA1 仕様

部品番号:IPT60R080G7XTMA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:CoolMOS™ G7
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:29A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:80mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 490µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:42 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1640 pF @ 400 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):167W (Tc)
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-HSOF-8-2
パッケージ・ケース:8-PowerSFN

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