参考まで
| 部品番号 | MTD15N06V1 |
| LIXINC Part # | MTD15N06V1 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MTD15N06V1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MTD15N06V1 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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TSM650P03CX RFG | MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 | 4105 注文の詳細 |
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IRFBC40LPBF | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3 | 888 注文の詳細 |
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SI2319DDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 | 7226 注文の詳細 |
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IXFK170N20P | MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA | 975 注文の詳細 |
 |
AOSX21319C | MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6 | 936 注文の詳細 |
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IPB100P03P3L-04 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 865 注文の詳細 |
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STT5N2VH5 | MOSFET N-CH 20V SOT23-6 | 2008 注文の詳細 |
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NTMFS6B05NT3G | MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN | 959 注文の詳細 |
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FQP32N12V2 | MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3 | 2116 注文の詳細 |
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IXFH52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD | 891 注文の詳細 |
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SIHF22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220 | 851 注文の詳細 |
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IRFU1N60APBF | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA | 3449 注文の詳細 |
 |
IRFIBE30GPBF | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3 | 1677 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10860 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.12000 | $0.12 |
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