参考まで
| 部品番号 | RFD8P06LE |
| LIXINC Part # | RFD8P06LE |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | P-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | RFD8P06LE PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | RFD8P06LE |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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RSJ400N06FRATL | MOSFET N-CH 60V 40A LPTS | 919 注文の詳細 |
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IRL8114PBF | MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB | 5967 注文の詳細 |
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STL120N8F7 | MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT | 4155 注文の詳細 |
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IPB160N04S203ATMA4 | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7-3 | 60702 注文の詳細 |
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STP4N150 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB | 2095 注文の詳細 |
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FDP13AN06A0_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 862 注文の詳細 |
 |
FQA9N90 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6365 注文の詳細 |
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BUK662R5-30C,118 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 931 注文の詳細 |
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RQ5E020SPTL | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3 | 3387 注文の詳細 |
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BUK7Y65-100EX | MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK56 | 828 注文の詳細 |
 |
PMPB29XPE,115 | MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 | 930 注文の詳細 |
 |
FQPF12P10 | MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F | 115599 注文の詳細 |
 |
SIHP38N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB | 1509 注文の詳細 |
| 在庫あり | 18122 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.30000 | $0.3 |
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