参考まで
部品番号 | NTD6416AN-1G |
LIXINC Part # | NTD6416AN-1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD6416AN-1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD6416AN-1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 17A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 81mOhm @ 17A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 620 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 71W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
SSM6K406TU,LF | MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6 | 6864 注文の詳細 |
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5LP01C-TB-H | MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP | 66877 注文の詳細 |
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CPC5603CTR | MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 | 2848 注文の詳細 |
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IPP60R280CFD7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | 1555 注文の詳細 |
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NTMYS010N04CLTWG | MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK | 867 注文の詳細 |
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DMN2991UFZ-7B | MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN | 986 注文の詳細 |
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IXFX48N60P | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3 | 859 注文の詳細 |
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IRF640PBF-BE3 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB | 960 注文の詳細 |
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SI8824EDB-T2-E1 | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | 84594 注文の詳細 |
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RQ3E180AJTB | MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT | 3983 注文の詳細 |
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STP5NK52ZD | MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220AB | 2939 注文の詳細 |
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BSD214SNH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 | 42941 注文の詳細 |
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PHK04P02T,518 | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8SO | 880 注文の詳細 |
在庫あり | 10916 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.40000 | $0.4 |
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