参考まで
部品番号 | NTLTS3107PR2G |
LIXINC Part # | NTLTS3107PR2G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 20V 5.9A 8DFN |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTLTS3107PR2G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTLTS3107PR2G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.9A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 16mOhm @ 8A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 70 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6500 pF @ 16 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 800mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS) |
パッケージ・ケース: | 8-VDFN Exposed Pad |
IXFR15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 | 1997 注文の詳細 |
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APT25M100J | MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP | 1000 注文の詳細 |
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IXTA60N10T-TRL | MOSFET N-CH 100V 60A TO263 | 1742 注文の詳細 |
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IPD60R360P7ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 | 5913 注文の詳細 |
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IRFR9020TRPBF | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK | 5119 注文の詳細 |
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SI4626ADY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 8SO | 980 注文の詳細 |
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APT6017JFLL | MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP | 933 注文の詳細 |
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NVMFS5C466NWFT1G | MOSFET N-CH 40V 15A/49A 5DFN | 833 注文の詳細 |
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STP3NK60Z | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB | 983 注文の詳細 |
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IPB180N04S4LH0ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | 1570 注文の詳細 |
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BSC070N10NS5SCATMA1 | MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON | 1859 注文の詳細 |
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FQP7N80 | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3 | 17164 注文の詳細 |
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MTD20P03HDL1 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 4289 注文の詳細 |
在庫あり | 13880 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.67000 | $0.67 |
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