参考まで
部品番号 | FQPF19N10L |
LIXINC Part # | FQPF19N10L |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQPF19N10L PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQPF19N10L |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 13.6A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 100mOhm @ 6.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 18 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 870 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 38W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220F |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
IRLR2908PBF | HEXFET POWER MOSFET | 842 注文の詳細 |
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IRFR6215PBF | PFET, 13A I(D), 150V, 0.295OHM, | 849 注文の詳細 |
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STD4N80K5 | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | 5747 注文の詳細 |
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FDS6680 | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC | 59185 注文の詳細 |
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NVMFS6H800NLWFT1G | MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN | 866 注文の詳細 |
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NVMFS5C404NT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 942 注文の詳細 |
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TSM5NC50CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO252 | 3274 注文の詳細 |
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SI7113DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK | 7045 注文の詳細 |
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MPF6659RLRA | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 11211 注文の詳細 |
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CSD18510Q5B | MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON | 835 注文の詳細 |
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2SK669-AC | MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA | 20818 注文の詳細 |
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SI2309CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | 879 注文の詳細 |
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STW13N60M2 | MOSFET N-CH 600V 11A TO247 | 910 注文の詳細 |
在庫あり | 12301 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
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