参考まで
部品番号 | FQD2N60CTF |
LIXINC Part # | FQD2N60CTF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQD2N60CTF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQD2N60CTF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.9A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.7Ohm @ 950mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 235 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RM8N700LD | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252-2 | 812 注文の詳細 |
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APT14M120S | MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK | 1116 注文の詳細 |
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FDD050N03B | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | 4185 注文の詳細 |
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1HP04CH-TL-W | MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH | 11644 注文の詳細 |
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IRF322 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 963 注文の詳細 |
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IPP70N10SL16AKSA1 | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3-1 | 1089 注文の詳細 |
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BFL4004-1E | MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220F-3FS | 37650 注文の詳細 |
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IRF3703PBF | MOSFET N-CH 30V 210A TO220AB | 1418 注文の詳細 |
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SI3454DV | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 992 注文の詳細 |
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DMT3006LFDF-13 | MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN | 827 注文の詳細 |
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IXFN44N80P | MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B | 4126 注文の詳細 |
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RD3U060CNTL1 | MOSFET N-CH 250V 6A TO252 | 2686 注文の詳細 |
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RD3S075CNTL1 | MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252 | 1976 注文の詳細 |
在庫あり | 10902 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.33000 | $0.33 |
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