参考まで
部品番号 | NTB35N15T4G |
LIXINC Part # | NTB35N15T4G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTB35N15T4G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTB35N15T4G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 150 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 37A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 50mOhm @ 18.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 100 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.2 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2W (Ta), 178W (Tj) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
STP4NK60Z | MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB | 2166 注文の詳細 |
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SI2301BDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | 31883 注文の詳細 |
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FDPF13N50FT | MOSFET N-CH 500V 12A TO220F | 1757 注文の詳細 |
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IRF740R | N-CHANNEL POWER MOSFET | 973 注文の詳細 |
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APT34M60B | MOSFET N-CH 600V 36A TO247 | 836 注文の詳細 |
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IXFR26N120P | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247 | 4600 注文の詳細 |
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SSM3J306T(TE85L,F) | MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM | 1818 注文の詳細 |
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IRFR5505TRPBF | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | 805 注文の詳細 |
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BUZ31HXKSA1 | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 | 6207 注文の詳細 |
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MCH6321-TL-E | MOSFET P-CH 20V 4A 6MCPH | 194018861 注文の詳細 |
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IRLZ34NSTRLPBF | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK | 51334 注文の詳細 |
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APT58M80J | MOSFET N-CH 800V 60A SOT227 | 842 注文の詳細 |
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NTTFS4C08NTAG | MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN | 2147484592 注文の詳細 |
在庫あり | 13902 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.90000 | $1.9 |
800 | $1.07502 | $860.016 |
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