参考まで
部品番号 | RS1E130GNTB |
LIXINC Part # | RS1E130GNTB |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RS1E130GNTB PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | RS1E130GNTB |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 13A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 11.7mOhm @ 13A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 7.9 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 420 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3W (Ta), 22.2W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-HSOP |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
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IPA80R1K0CEXKSA2 | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP | 1436 注文の詳細 |
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SI4425BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO | 11279 注文の詳細 |
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SQJQ100EL-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 | 2927 注文の詳細 |
在庫あり | 13203 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.57000 | $0.57 |
2500 | $0.19116 | $477.9 |
5000 | $0.17882 | $894.1 |
12500 | $0.17266 | $2158.25 |
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