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部品番号 | BUK952R8-60E,127 |
LIXINC Part # | BUK952R8-60E,127 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BUK952R8-60E,127 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | BUK952R8-60E,127 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 120A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.6mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.1V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 120 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 17.45 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 349W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
BUK7208-40B,118 | MOSFET N-CH 40V 75A DPAK | 968 注文の詳細 |
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SUP57N20-33-E3 | MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB | 1474 注文の詳細 |
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IRFP7718PBF | MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC | 808 注文の詳細 |
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TK6P60W,RVQ | MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK | 874 注文の詳細 |
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IPP032N06N3GXKSA1 | IPP032N06 - 12V-300V N-CHANNEL P | 835 注文の詳細 |
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BTS112AE3045ANTMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2367 注文の詳細 |
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SI7812DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8 | 8012 注文の詳細 |
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NTD4809NA-1G | MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK | 86931 注文の詳細 |
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FDMC8010DC | MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN | 3277 注文の詳細 |
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IPD85P04P407ATMA2 | MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 | 916 注文の詳細 |
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SIHA25N60EFL-E3 | MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220 | 836 注文の詳細 |
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SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 | 3504 注文の詳細 |
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SIHF540STRL-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 944 注文の詳細 |
在庫あり | 11220 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.20000 | $1.2 |
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