参考まで
部品番号 | IRF610 |
LIXINC Part # | IRF610 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF610 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF610 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 8.2 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 140 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 36W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
YJL3400A-F2-0000HF | N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L | 883 注文の詳細 |
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STU5N95K3 | MOSFET N-CH 950V 4A IPAK | 950 注文の詳細 |
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IRFS7730PBF | IRFS7730 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 7900 注文の詳細 |
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RJK0349DSP-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP | 933 注文の詳細 |
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NVTFS4C05NWFTAG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | 9158 注文の詳細 |
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2SK2133-AZ | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10806 注文の詳細 |
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BSC100N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 13A/44A TDSON | 922 注文の詳細 |
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DMP6110SFDFQ-7 | MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN | 910 注文の詳細 |
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IXFA24N60X | MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA | 1910 注文の詳細 |
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FDMS86252L | MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN | 2705 注文の詳細 |
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IRLL110TRPBF-BE3 | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 | 3138 注文の詳細 |
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2SJ583LS | P-CHANNEL POWER MOSFET | 6461 注文の詳細 |
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NTLUS029N06T6TAG | MOSFET N-CH 60V 3.5A 6UDFN | 807 注文の詳細 |
在庫あり | 14622 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.18000 | $0.18 |
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