参考まで
部品番号 | ISP25DP06LMXTSA1 |
LIXINC Part # | ISP25DP06LMXTSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | ISP25DP06LMXTSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | ISP25DP06LMXTSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.9A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 250mOhm @ 1.9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 270µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 13.9 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 420 pF @ 30 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.8W (Ta), 5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-SOT223-4 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
MTB29N15ET4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 48121 注文の詳細 |
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APT12080JVFR | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP | 814 注文の詳細 |
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RUE003N02TL | MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 | 844 注文の詳細 |
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BUK6510-75C,127 | MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB | 5151 注文の詳細 |
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STD10NF10T4 | MOSFET N-CH 100V 13A DPAK | 868 注文の詳細 |
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MSC035SMA070B | MOSFET N-CH 700V TO247 | 850 注文の詳細 |
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STB11N65M5 | MOSFET N CH 650V 9A D2PAK | 919 注文の詳細 |
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NTTS2P02R2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8 | 4807 注文の詳細 |
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ISL9N310AD3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3853 注文の詳細 |
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FDMC8360LET40 | MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33 | 16871 注文の詳細 |
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DMS2120LFWB-7 | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN | 293430809 注文の詳細 |
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IRF6644TRPBF | MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET | 9327 注文の詳細 |
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SSM3K15ACTC,L3F | MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C | 7023 注文の詳細 |
在庫あり | 12971 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.26000 | $0.26 |
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