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| 部品番号 | SSM5H90ATU,LF |
| LIXINC Part # | SSM5H90ATU,LF |
| メーカー | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SSM5H90ATU,LF PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SSM5H90ATU,LF |
| ブランド: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.4A (Ta) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 65mOhm @ 1.5A, 4V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 1.2V @ 1mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 2.2 nC @ 4 V |
| vgs (最大): | ±10V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 200 pF @ 10 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 500mW (Ta) |
| 動作温度: | 150°C |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | UFV |
| パッケージ・ケース: | 5-SMD, Flat Leads |
 |
IXTH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO247 | 939 注文の詳細 |
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DN2530N3-G | MOSFET N-CH 300V 175MA TO92 | 3830 注文の詳細 |
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BUK7E2R7-30B,127 | PFET, 75A I(D), 30V, 0.0027OHM, | 1852 注文の詳細 |
| 在庫あり | 16910 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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