参考まで
| 部品番号 | PMGD175XNE115 |
| LIXINC Part # | PMGD175XNE115 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PMGD175XNE115 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 11 - Sep 15 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PMGD175XNE115 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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ISP650P06NMXTSA1 | MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4 | 2048 注文の詳細 |
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IXTA24P085T | MOSFET P-CH 85V 24A TO263 | 1073 注文の詳細 |
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SFR9014TF | MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK | 14771 注文の詳細 |
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IPP015N04NGXKSA1 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 | 1122 注文の詳細 |
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DMP4013SPSQ-13 | MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060 | 3338 注文の詳細 |
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IRFH8201TRPBF | MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN | 968 注文の詳細 |
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SISS64DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S | 2430 注文の詳細 |
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CPC3708ZTR | MOSFET N-CH 350V 5MA SOT223 | 1956 注文の詳細 |
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BUK9505-30A,127 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB | 4924 注文の詳細 |
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PSMN070-200P,127 | MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB | 815 注文の詳細 |
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AOTF3N100 | MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F | 800 注文の詳細 |
 |
IXFN60N80P | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B | 987 注文の詳細 |
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SIS438DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 | 1049 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10935 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.08000 | $0.08 |
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