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部品番号 | 2N7002E,215 |
LIXINC Part # | 2N7002E,215 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 2N7002E,215 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | 2N7002E,215 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 385mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3Ohm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 0.69 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 50 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 830mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-236AB |
パッケージ・ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
NTMFS4C35NT1G | MOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN | 14976837 注文の詳細 |
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SIA456DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 | 9420 注文の詳細 |
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SISH472DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK | 5456 注文の詳細 |
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FDPF680N10T | MOSFET N-CH 100V 12A TO220F | 56779 注文の詳細 |
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BUZ76 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1608 注文の詳細 |
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NTD4804NA-1G | NTD4804NA-1G | 890 注文の詳細 |
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IRLR7833TRLPBF | MOSFET N-CH 30V 140A DPAK | 976 注文の詳細 |
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IRF9Z24STRRPBF | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK | 962 注文の詳細 |
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APTM20DAM05G | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 | 940 注文の詳細 |
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AUIRFS4310Z-IR | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 899 注文の詳細 |
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TSM4NB65CH C5G | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251 | 11444 注文の詳細 |
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STH320N4F6-2 | MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK | 989 注文の詳細 |
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HUF76629D3ST_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 840 注文の詳細 |
在庫あり | 99907 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.04000 | $0.04 |
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