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部品番号 | SQ3419EV-T1_BE3 |
LIXINC Part # | SQ3419EV-T1_BE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SQ3419EV-T1_BE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SQ3419EV-T1_BE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.9A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 58mOhm @ 2.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 11.3 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 990 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-TSOP |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
2N6660 | MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 | 1090 注文の詳細 |
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MCQ4435-TP | MOSFET P-CH 30V 9.1A 8SOP | 893 注文の詳細 |
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FDB8444TS | MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5 | 8245 注文の詳細 |
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5HN01C-TB-E | MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 | 15710 注文の詳細 |
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IXFH20N100P | MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD | 2832079 注文の詳細 |
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NVMFS5C670NLAFT1G | MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN | 996 注文の詳細 |
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APT20M18LVFRG | MOSFET N-CH 200V 100A TO264 | 826 注文の詳細 |
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R6007JNXC7G | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | 2892 注文の詳細 |
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IPD050N10N5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 | 914 注文の詳細 |
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IXFN106N20 | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | 922 注文の詳細 |
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IXFT14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO268 | 972 注文の詳細 |
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IXFA10N60P | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | 46609 注文の詳細 |
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HUF75842P3 | MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3 | 7342 注文の詳細 |
在庫あり | 13732 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.69000 | $0.69 |
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