参考まで
部品番号 | FQD4P25TF |
LIXINC Part # | FQD4P25TF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQD4P25TF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQD4P25TF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 250 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.1A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.1Ohm @ 1.55A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 14 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 420 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
BUK954R8-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB | 2524 注文の詳細 |
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SISHA14DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK | 6642 注文の詳細 |
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SIRC18DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | 5744 注文の詳細 |
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AUIRLS3036 | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK | 7720 注文の詳細 |
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AUIRF3007 | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | 10679 注文の詳細 |
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AOT288L | MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO220 | 858 注文の詳細 |
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DMN4008LFG-13 | MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333 | 838 注文の詳細 |
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AOTF7N65 | MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3F | 940 注文の詳細 |
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AUIRFZ48Z | MOSFET N-CH 55V 61A TO220 | 7238 注文の詳細 |
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AOB480L | MOSFET N-CH 80V 15A/180A TO263 | 860 注文の詳細 |
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PSMN7R0-100BS,118 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | 3364 注文の詳細 |
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IRFU110 | 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL | 3780 注文の詳細 |
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IRF6619 | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET | 15301 注文の詳細 |
在庫あり | 11842 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.31000 | $0.31 |
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