参考まで
部品番号 | NP80N04NHE-S18-AY |
LIXINC Part # | NP80N04NHE-S18-AY |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 40V 80A TO262 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NP80N04NHE-S18-AY PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NP80N04NHE-S18-AY |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 8mOhm @ 40A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 60 nC @ 10 V |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.3 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
動作温度: | 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-262 |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
TSM500P02CX RFG | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 | 11819 注文の詳細 |
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NTR0202PLT1G | MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3 | 31935 注文の詳細 |
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DMP1080UCB4-7 | MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4 | 4127 注文の詳細 |
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NTMFS5C628NLT1G | MOSFET N-CH 60V 5DFN | 880 注文の詳細 |
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BSC052N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 95A TDSON | 15362 注文の詳細 |
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AUIRFS8409TRL | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 1173 注文の詳細 |
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2SK3306B-S17-AY | N-CHANNEL POWER MOSFET | 16494 注文の詳細 |
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IRFR1010ZPBF | IRFR1010 - 12V-300V N-CHANNEL PO | 8896 注文の詳細 |
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CSD17310Q5A | MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON | 29277 注文の詳細 |
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TSM60N380CI C0G | MOSFET N-CH 600V 11A ITO220AB | 1890 注文の詳細 |
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SI4850EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 6A 8SO | 1021 注文の詳細 |
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SIHB22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | 886 注文の詳細 |
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AUIRF3205ZS | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 19451 注文の詳細 |
在庫あり | 13221 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.62000 | $1.62 |
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