参考まで
部品番号 | FDP5500-F085 |
LIXINC Part # | FDP5500-F085 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDP5500-F085 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDP5500-F085 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 55 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 269 nC @ 20 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3565 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 375W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
CSD17303Q5 | MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON | 4055 注文の詳細 |
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IPP80N03S4L03AKSA1 | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 | 1457 注文の詳細 |
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CMLDM8120 TR | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 | 1761 注文の詳細 |
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RQ1C065UNTR | MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 | 3029 注文の詳細 |
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BUK7620-100A,118 | TRANSISTOR >30MHZ | 17641 注文の詳細 |
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HUFA75329G3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3644 注文の詳細 |
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FDT3612 | MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4 | 800 注文の詳細 |
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TK30E06N1,S1X | MOSFET N-CH 60V 43A TO220 | 809 注文の詳細 |
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IRFB7546PBF | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | 1341 注文の詳細 |
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STP4NK50ZD | MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB | 2975 注文の詳細 |
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SIHP15N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | 1829 注文の詳細 |
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PSMN1R9-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 8309 注文の詳細 |
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UF3C065030K3S | SICFET N-CH 650V 85A TO247-3 | 1271 注文の詳細 |
在庫あり | 11153 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.91000 | $1.91 |
400 | $1.91000 | $764 |
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