TK200F04N1L,LXGQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK200F04N1L,LXGQ

TK200F04N1L,LXGQ

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部品番号	TK200F04N1L,LXGQ
LIXINC Part #	TK200F04N1L,LXGQ
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	TK200F04N1L,LXGQ PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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TK200F04N1L,LXGQ 仕様

部品番号:	TK200F04N1L,LXGQ
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	U-MOSVIII-H
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	200A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	6V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:	0.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	214 nC @ 10 V
vgs (最大):	±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	14920 pF @ 10 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	375W (Tc)
動作温度:	175°C
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	TO-220SM(W)
パッケージ・ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

CSD16404Q5A	MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON	3321 注文の詳細
PSMN5R0-80BS,118	MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK	932 注文の詳細
SFU9224TU	P-CHANNEL POWER MOSFET	274394 注文の詳細
IPZ40N04S5L2R8ATMA1	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON	7914 注文の詳細
J176_D74Z	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	925 注文の詳細
IPP65R280C6XKSA1	MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3	20839 注文の詳細
NVTFS6H860NWFTAG	MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN	5491 注文の詳細
IRFH5007TR2PBF	MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN	882 注文の詳細
2SK1419	N-CHANNEL POWER MOSFET	1737 注文の詳細
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IRFR9220TRLPBF	MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK	2389 注文の詳細